本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。

先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。
材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。
半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。
本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。

作者簡介
吳永俊
現職：國立清華大學工程與系統科學系與半導體學院教授
研究領域與專長：半導體元件製程與整合、半導體元件物理與 TCAD 模擬、記憶體製程與整合；發表半導體元件製程與整合相關 SCI 期刊論文約 100 篇
英文教科書：3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices
中文教科書：《三維 TCAD 模擬與 CMOS 奈米電子元件》

孫崇哲
學歷：國立清華大學工程與系統科學系博士
研究領域與專長：奈米級金氧半場效應電晶體、先進鰭式電晶體與環繞式閘極電晶體之開發、高遷移率通道工程、與半導體元件物理與 TCAD 模擬技術

顏孝丞
學歷：國立清華大學工程與系統科學系博士
研究領域與專長：奈米電子元件、鰭式場效電晶體、半導體元件物理與製程整合，與先進非揮發性記憶體

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